- silicon-on-insulator (SOI)
- Макаров: структура (типа) кремний на диэлектрике (КНД-структура), КНД-структура (структура (типа) кремний на диэлектрике)
Универсальный англо-русский словарь. Академик.ру. 2011.
silicon-on-insulator (SOI)
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Silicon on insulator — (SOI, deutsch „Silicium auf einem Isolator“) bezeichnet eine Herstellungstechnologie für Schaltkreise aus Silizium Transistoren. Diese befinden sich auf einem isolierenden Material, wodurch sich kürzere Schaltzeiten und geringere… … Deutsch Wikipedia
Silicon on Insulator — Der englische Begriff silicon on insulator (SOI, deutsch „Silizium auf einem Isolator“) bezeichnet eine Herstellungstechnologie für Schaltkreise auf Basis von Silizium Substraten. Diese befinden sich auf einem isolierenden Material, wodurch sich… … Deutsch Wikipedia
Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Silicon on insulator — technology (SOI) refers to the use of a layered silicon insulator silicon substrate in place of conventional silicon substrates in semiconductor manufacturing, especially microelectronics, to reduce parasitic device capacitance and thereby… … Wikipedia
Silicon on insulator — Silicon on consolator (SOI) es una tecnología de fabricación microelectrónica en la que se sustituye el sustrato tradicional de fabricación de obleas de sesar, por un sandwich de capas de semiconductor aislante semiconductor. Esta técnica reduce… … Wikipedia Español
Silicon on insulator — Silicium sur isolant Le Silicium Sur Isolant (en anglais : SOI ou Silicon On Insulator) est une structure constituée d un empilement d une couche de silicium (de 50 nm à quelques µm d épaisseur) sur une couche d isolant. Cet isolant peut… … Wikipédia en Français
Silicon on sapphire — (SOS) is a hetero epitaxial process for integrated circuit manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 micrometres) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the Silicon on Insulator (SOI) family of… … Wikipedia
Silicon-germanium — SiGe (IPA|ˈsɪɡɪː, IPA|ˈsaɪdʒɪ), or silicon germanium, is a general term for the alloy Si1 xGex which consists of any molar ratio of silicon and germanium. It is commonly used as a semiconductor material in integrated circuits (ICs) for… … Wikipedia
SOI MOSFET — In electronics, an SOI MOSFET semiconductor device is a Silicon on Insulator (SOI) MOSFET structure in which a semiconductor layer, e.g. silicon, germanium or the like, is formed above an insulator layer which may be a buried oxide (BOX) layer… … Wikipedia
SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Silicon on Sapphire — (SoS) ist eine spezielle Bauform für Halbleiterbauelemente aus Silizium auf dem isolierenden Substrat Saphir (engl. Silicon on Sapphire). Die integrierten Schaltkreise werden in einem heteroepitaxialer Prozess hergestellt, bei dem eine dünne… … Deutsch Wikipedia
